為了提高壓電閥門的流量和動態性能，使其適用于微推進系統，本文研究了一種基于MEMS工藝制造的閥芯閥座密封副的壓電閥門.采用MEMS工藝制作了硅片閥芯閥座，使閥門整體結構簡單緊湊，獲得了良好的密封效果(在閥門入口氣壓為1MPa的情況下泄漏率小于0.001mL/min)，并使閥門達到了較大的流量.在入口氣壓大于0.4 MPa，壓電堆所施加的電壓為200V時，閥門流量均超過3000mL/min，滿足微推進系統的要求，避免了位移放大機構.在閥門的驅動部分，設計了一種新型的柔性鉸鏈機構，其中的“T”形架實現了閥門的常閉功能，“雙彈簧”結構實現了對密封副和壓電堆的同時預緊，保證了閥門具備較好的動態性能。

　　壓電堆驅動器具有控制精度高、位移與電壓線性化程度好、響應快、輸出力大以及功耗低等優點，適合用作微小型航天器上微推進系統中控制主閥的驅動。然而壓電堆驅動器的輸出位移很小，一般只有其長度的0.1%，選取滿足體積要求的壓電堆并采用其直接驅動時，閥芯的行程短，流量小(小于1500mL/min)，不能滿足微推進系統的要求(最大流量需達到3000mL/min)。為增大流量，壓電閥門常采用位移放大機構;但位移放大機構的復雜性高，會減小壓電堆的輸出力，降低其響應頻率和控制精度，不利于閥門的密封和動態性能。

　　在閥門的閥芯閥座處采用硬密封的方式，即閥芯閥座采用硬度相近的硬材料，接觸處產生極小的彈塑性變形(小于1μm)，在壓電堆位移一定的情況下，能從一定程度上增加閥芯閥座開啟間隙而增大流量。

　　但是傳統加工的精度有限，不能使密封面的平面度和表面粗糙度小到足以滿足硬密封的要求。MEMS工藝能在硅片上加工出極細微的結構，同時經拋光的硅片表面的平面度和表面粗糙度都極小(表面粗糙度小于0.3nm)，能夠實現硬密封。

　　本文采用MEMS工藝制作了硅片閥芯閥座，獲得了很好的密封效果，高效地利用了壓電堆的位移，得到了較大的流量，在不采用放大機構的情況下滿足微推進系統的要求。同時在驅動機構部分設計了一種新型的柔性鉸鏈機構，能實現閥門的常閉功能，保證了閥門的控制精度和較好的動態性能。

1、壓電閥門結構設計

　　如圖1所示，壓電閥門主要由驅動機構部分和閥體部分組成，驅動機構部分主要由支架、壓電堆、導向片、墊片、預緊螺釘、滑動鋼珠和調節螺釘組成;閥體部分主要由上閥體、下閥體、閥芯、閥座、定位片、定位膜片、施力鋼珠、密封膜片、保持環和調節環組成;驅動機構部分通過滾針給閥體部分的閥芯閥座施加密封預緊力。

圖1 壓電閥門結構示意

1.1、驅動機構部分設計

　　為使閥門具備較低的功耗，需設計其處于常閉狀態.由于壓電堆在通電狀態下伸長，采用兩個壓電堆和“T”形架(如圖1中所示)實現壓電堆位移的轉換，從而實現常閉。“T”形架通過柔性鉸鏈與支架周邊相連，柔性鉸鏈對“T”形架起到定位和導向的作用。在加工工藝許可和保證柔性鉸鏈能起到定位及導向作用的前提下，設計了柔性鉸鏈的厚度，使其對“T”形架運動帶來的阻礙作用減到可以忽略不計。“T”形架的水平部分與支架上部的柔性橫梁形成“雙彈簧”結構(見圖1(b))，可同時對密封和壓電堆預緊，避免出現中壓電堆處于受拉的不利狀態.整個支架為一體結構，主要通過慢走絲線切割加工而成。

1.2、閥體部分設計

1.2.1、硅片閥芯閥座

　　圖2所示為設計制作的硅片閥芯閥座示意，其中閥芯上的密封環主要通過MEMS工藝制作而成，閥座的通孔通過激光打孔而成.實際密封時，使閥芯有密封環的一面與閥座接觸，極大減小了閥芯閥座的接觸面積，當施加一定的密封預緊力時，閥芯閥座的接觸壓強會很大，由于所采用的硅片平面度很高、粗糙度低(小于0.3nm)，使密封環頂端產生彈塑性變形，與閥座形成密實接觸，形成密封帶從而實現密封。

　　對于硬密封，必須比壓至少應為100MPa。根據對驅動機構部分所能施加的最大密封預緊力的理論分析，可估算知閥芯上密封環端面的總面積應不大于0.9×10-6m2。經合理分配密封環數量及各密封環的內徑和寬度，確定閥芯上加工出10道密封環，每道密封環的寬度為5μm，高度為10μm，最內道的內徑為2mm，其余各道內徑向外依次遞增0.3mm;閥座的通孔直徑為1mm。實際加工后的閥芯的掃描電子顯微鏡(scanningelectronmicroscopy，SEM)照片如圖3所示.閥芯閥座制作后采用耐高溫膠黏劑與閥門相關零件黏接。

圖2 硅片閥芯閥座示意

圖3 閥芯的SEM照片

1.2.2、平行度的自調節結構

　　由于硅片表面平面度很高，為使閥芯上所有密封環的頂端都與閥座表面緊密黏合，需使閥芯和閥座保持高度的平行度，本文通過鋼珠以點接觸的方式施加密封預緊力，如圖4所示。其中閥芯所黏附的定位片用于增加剛度以使鋼珠所施加的力能較均勻地分布到硅片表面。為了保持閥芯在閥體中相對于閥座的位置，本文將黏接有閥芯的定位片再黏接于定位膜片上，其中的筋有利于閥芯調整角度使其高平行度地與閥座黏合，平行度的自調節結構示意如圖4(a)所示，這種方式能避免增大膜片面積，減小了體積和質量。

圖4 平行度的自調節結構示意及定位膜片模型

2、實驗結果與分析

　　壓電閥門實物照片如圖5所示。本文通過如圖6所示的實驗臺對閥門的相關性能進行了測試。

2.1、密封性測試

　　對于密封性測試，采用了檢漏劑檢測和保壓實驗兩種方法。采用檢漏劑檢測時，使截止閥和壓電閥處于關閉狀態，通過調節減壓器和調壓閥使壓電閥的閥前壓力達到測試壓力(測試壓力應大于閥門的最大工作壓力，本文研究的壓電閥門最大工作壓力不大于0.6MPa，故設定測試壓力為1MPa)，此時將檢漏劑涂在各個可能產生泄漏的部位，如各部件接頭處、壓電閥的出氣口處等，沒有發現氣泡，說明壓電閥泄漏率很低(通過檢漏劑的性質和氣泡檢漏原理計算出泄漏率小于0.001mL/min)，且測試系統的密封性很好。此時，關閉氣源，在氣源出口處至壓電閥入口處的管路中憋住一段有一定壓力的氣體(氣體壓力為1MPa，由前文作檢漏劑檢測時確定)，等待10h后，觀察壓電閥閥前壓力，若氣壓變化量小于0.001MPa，說明氣體基本沒有泄漏，壓電閥和測試系統密封性較好。

圖5 壓電閥門實物照片

圖6 實驗臺示意

2.2、位移和流量測試

　　壓電堆在通電的狀態下伸長，通過驅動機構對位移的轉換開啟閥芯，使氣體通過產生流量。如圖7所示，通過測量上橫梁端部的位移來間接反映閥芯相對于閥座開啟的距離，所測得的位移與電壓關系如圖8所示.從圖8可知，上橫梁端部的位移與電壓基本呈線性關系，在所加電壓為200V時，上橫梁端部達到最大位移21.6μm。

圖7 位移測量示意

圖8 上橫梁端部的位移與壓電堆所加電壓的關系

　　在實驗中對流量進行了靜態和動態測試。在靜態流量方面，在壓電堆兩端加上靜態電壓，對通過閥門的流量進行測試，得到在不同入口氣壓下流量與壓電堆所加電壓的關系，如圖9所示。從圖9可知，在電壓低于60V的情況下，流量基本為0;在電壓高于60V的情況下，流量與所加電壓基本呈線性關系，當入口氣壓大于0.4MPa、壓電堆所加電壓為200V時，閥門流量均能超過3000mL/min，從而避免了位移放大機構，滿足了微推進系統對流量的要求。從圖8可知，在壓電堆所加電壓為0~60V階段，上橫梁端部已有位移，但其還小于閥門在關閉狀態下滾針的壓縮量，閥芯閥座仍受一定的密封力，閥芯相對于閥座沒有開啟，因此閥門沒有氣體通過，流量基本為0。

圖9 在不同入口氣壓下閥門流量與壓電堆所加電壓的關系

　　在動態流量方面，測試了壓電堆所加電壓分別為方波和正弦波兩種情況下閥門的流量(方波高電平與正弦波振幅均為30V)。壓電堆所加電壓為方波時閥門流量與占空比的關系如圖10所示，從圖中可知，閥門在占空比為10%時就有一定的流量，而靜態電壓下閥門需在大于60V的情況下才有流量，說明在動態情況下小電壓也能開啟閥芯閥座。隨著占空比的增加，閥門流量逐步上升，當占空比約小于50%時，方波頻率為100Hz時的流量最大，50Hz時其次，200Hz時最小;當占空比約大于50%時，方波頻率為50Hz時最大，100Hz時其次，200Hz時最小，說明閥門在50~100Hz時具有較好的流量性能，在較高頻率下流量減小較大。

圖10 壓電堆所加電壓為方波時閥門流量與占空比的關系

　　壓電堆所加電壓為正弦波時閥門流量與頻率的關系如圖11所示，從圖中可知，當入口氣壓為0.4MPa和0.5MPa時，隨著頻率的增加閥門流量先緩慢上升再快速下降;當入口氣壓為0.6MPa時，隨著頻率的增加閥門流量先緩慢下降再迅速下降，這說明在較低入口氣壓時閥門在50~100Hz時有較好的流量性能，但在入口氣壓較大時，頻率的增加卻會使流量降低;當頻率大于約200Hz后，流量的下降均較快，說明較高頻率不利于閥門的流量性能。

圖11 壓電堆所加電壓為正弦波時閥門流量與頻率的關系

2.3、閥門壽命測試

　　對閥門的壽命也作了測試，在測試中，先通過對壓電堆施加一定頻率的方波電壓，使閥門循環工作一定次數，再測試其密封性以驗證閥門是否破壞。測試中，所施加的方波電壓高電平為180V，占空比為50%，周期為2s;循環工作后密封性的測試采用前述檢漏劑檢測和保壓實驗兩種方法，經測試閥門在工作5000次后密封性仍很好.在進一步改善閥門壽命和測試方面，還需做深入的研究。

2.4、閥門功耗測試

　　由于考慮將此閥門應用于微小型航天器的微推進系統，而微小型航天器的能量供應有限，對閥門的功耗提出了較高的要求。壓電堆驅動器由于具有電容性質，在靜態工作狀態下功耗基本為零，因此能滿足微小型航天器的要求。依次測試了閥門的靜態和動態功耗，閥門在壓電堆所加電壓為直流200V下的靜態功耗約為5mW，這與理論上功耗為零的情況不符合，說明壓電堆在實際工作時存在泄漏電流。閥門在壓電堆所加電壓為高電平30V，占空比50%，頻率100Hz的方波時，由于不斷地給壓電堆充放電，產生動態功耗約為150mW。

3、結語

　　研究了一種基于MEMS工藝密封的壓電閥門，采用MEMS工藝制作了硅片閥芯閥座，實現了硬密封的方式，使閥門整體結構簡單緊湊，獲得了很好的密封效果(在閥門入口氣壓為1MPa的情況下泄漏率小于0.001mL/min)，并且由于硬密封高效地利用了壓電堆的位移，使閥門達到了較大的流量，當入口氣壓大于0.4MPa、在壓電堆所加電壓為200V時，閥門流量均能超過3000mL/min，這避免了位移放大機構.在閥門的驅動部分，設計了一種新型的柔性鉸鏈機構，其中的“T”形架實現了閥門的常閉功能，“雙彈簧”結構實現了對密封副和壓電堆的同時預緊，避免了壓電堆處于受壓的不利狀態，同時由于未采用放大機構，保證了閥門具備較好的動態性能。從閥門的動態流量測試可知，當入口氣壓較低時閥門在頻率50~100Hz范圍內具有較好的流量性能。