含氫類金剛石薄膜的制備及其光學常數研究

2012-12-25 張艷茹 西安工業(yè)大學陜西省薄膜技術與光學檢測重點實驗室

含氫類金剛石薄膜的制備及其光學常數研究

張艷茹 杭凌俠 惠迎雪 潘永強

(西安工業(yè)大學陜西省薄膜技術與光學檢測重點實驗室 西安 710032)

　　摘要：利用非平衡磁控濺射技術制備類金剛石薄膜時，在放電氣體中引入含-CH3 原子團的甲烷氣體，即采用反應磁控濺射技術得到含氫DLC 薄膜，實驗系統(tǒng)如圖1 所示。對反應氣體流量進行工藝優(yōu)化后，薄膜沉積速率可提高到3.8 nm/min;氫元素的加入使得折射率、消光系數降低，其中消光系數的變化比較明顯，減小一個數量級，詳見圖2；在1064 nm 處，采用典型制備工藝參數，含氫DLC 薄膜復折射率可到達1.7032～i0.0041，根據CH4氣體流量的不同，復折射率小范圍上下變動;相同厚度的DLC 薄膜，在3-5mm波段，反應氣體的加入使得峰值透過率增高15%。

　　關鍵詞：反應磁控濺射 含氫類金剛石薄膜 光學常數 透過率