通過對不同退火溫度下Er/ Yb 共摻TiO₂ 薄膜的結構和光致熒光光譜(PL) 的分析, 研究了退火處理所導致的晶體結構變化對薄膜熒光光譜的影響, 探討了薄膜的結晶狀態(tài)在Er3+ 激活、熒光光譜形狀等方面的作用及可能的物理機制。研究結果表明: 退火處理所導致的Er3+ 的PL 的變化與薄膜的相結構之間有著密切的聯(lián)系。退火溫度低于700℃ 時的寬化譜和Er/Yb 共摻TiO₂ 薄膜的非晶結構有關, 多峰結構的PL 是Er3⁺ 在燒綠石相Er_xYb_2-xTi₂O₇中的典型特征。

　　Er3+ 內層4f 電子躍遷表現(xiàn)為1.53 um 波長的近紅外發(fā)射, 對應于標準硅基光纖通訊的最低損耗窗口, 在光通訊領域占有舉足輕重的地位, 摻Er 光纖放大器已經(jīng)在通信系統(tǒng)中得到廣泛應用。為了實現(xiàn)光通信中器件的集成化和小型化, 人們開始研究摻Er 光波導放大器。真空技術網(wǎng)(http://shengya888.com/)認為正是由于摻Er 平面光波導放大器的此優(yōu)勢使其在光電集成領域具有廣泛的應用前景,促使作為發(fā)光層的摻Er 薄膜的研究再次升溫。

　　為了滿足摻Er 光波導放大器的尺寸要求, 需要盡可能提高Er 摻雜濃度以獲得較大的光學增益。但過高的摻鉺濃度使得Er3+ 離子間的距離變得很小, 從而發(fā)生離子之間的電偶極子相互作用, 這種電偶極子相互作用會在很大程度上降低Er3+ 的發(fā)射-吸收效率, 從而導致濃度淬滅發(fā)生。這時, Yb3+的摻入起到彌散的作用。Yb3+ 一方面抑制Er3+ 離子簇的形成, 另一方面為Er3+ 提供了一種有效的間接泵浦方式, 可顯著提高對泵浦光的吸收效率。Er3+ 的4I 13/ 2 .4I 15/ 2發(fā)射由許多光譜譜線疊加而成,分別來自4I 13/ 2 Stark 劈裂能級向4I 15/ 2 多重態(tài)的躍遷�；�質晶體場的變化, 會影響到Er3+ 的子能級分布, 從而影響到對應譜線的躍遷幾率, 最終導致Er3+ 的熒光特性發(fā)生改變。

　　人們對Er/ Yb 共摻氧化物薄膜的基體材料進行了廣泛研究, 如SiO2、富硅氧化硅( SRSO) 、Al2O3 以及ZnO 等。TiO2 作為Er 摻雜的基體材料在光電集成領域也有一定的應用前景, 這取決于它的高折射率( 銳鈦礦結構n= 2.52, 金紅石結構n= 2.76) 和低的聲子能( < 700 cm- 1)。一方面, 高的折射率有利于光電集成器件的小型化。另一方面, TiO2 和SiO2 覆層( n= 1.45) 之間的高折射率對比, 有利于波導中光模的高約束。并且, TiO2 基質的寬帶隙以及O 的存在有利于Er3+ 離子的光學躍遷。從現(xiàn)有文獻報道來看, 有關摻Er-TiO2 用作光波導放大器光學薄膜的研究很少。

　　Ishii 等采用激光燒蝕方法制備了摻Er-TiO2薄膜, 研究了Er3+ 離子在銳鈦礦(A) 和金紅石( R) 基質中的原子構型。他們發(fā)現(xiàn), 在A-TiO2 中Er 替代Ti 的位置造成O 不足和Er-O 鍵的不穩(wěn)定, 而在RTiO2中則導致脫Ti 并且形成穩(wěn)定的Er-O6 結構。

　　Ting 等采用So-l Gel 技術制備了Er/Y 和Er/Yb 共摻TiO2 薄膜, 獲得的光致熒光光譜( PL) 譜強度比Er-Al 共摻雜SiO 系統(tǒng)高一個數(shù)量級, 半峰寬也加寬, 指出Yb 的摻入可使薄膜的熒光譜的譜寬通過非均勻寬化效應而加寬。盡管如此, 對摻Er 和Er/Yb 共摻TiO2 薄膜的研究仍然不夠深入, 很少人關注相結構對摻Er-TiO2 薄膜PL 特性的影響。本文采用射頻磁控濺射技術制備了Er/ Yb 共摻TiO2 薄膜,研究Er/ Yb 共摻TiO2 薄膜在不同退火溫度下的結構和熒光特性, 探討基質材料晶體結構對Er3+ 熒光光譜的影響。

　　本文研究了退火溫度對Er/Yb 共摻TiO2 薄膜的相結構和PL 譜特征的影響, 結果表明PL 譜的退火行為取決于不同退火溫度下Er/ Yb 共摻TiO2 薄膜的相結構。低于700 ℃ 時, 寬化譜特征和Er/ Yb共摻TiO2 薄膜的非晶結構有關, PL 譜的多峰結構是Er3+ 在燒綠石相ErxYb2- xTi2O7 中的典型特征。高Er/ Yb 摻雜濃度下Er/ Yb 共摻TiO2 薄膜的光致發(fā)光特征與低摻雜濃度下A-TiO2 或R-TiO2 中Er3+ 離子的PL 特性有所不同。