不同封裝白光LED衰減特性的研究
本文對GaN基藍(lán)色發(fā)光芯片,激發(fā)YAG黃色熒光粉混光獲得白光的LED(W-LED)的衰減特性進(jìn)行了系統(tǒng)研究。以不同封裝及集成模式制作W-LED 模塊,對比了以傳統(tǒng)封裝的點(diǎn)光源W-LED光源結(jié)構(gòu)和平面封裝的W-LED光源結(jié)構(gòu)的衰減情況。結(jié)果表明LED的封裝結(jié)構(gòu)對其散熱性能有重要影響。與傳統(tǒng)顆粒封裝工藝相比,平面封裝工藝可以大大改善W-LED集成光源模塊的散熱性能,因此可以有效地延長LED光源的使用壽命。
一、引言
作為第四代照明光源,GaN基發(fā)光二極管(LED)一經(jīng)問世就受到了廣泛關(guān)注,對比前三代照明光源,即白熾燈、熒光燈和氣體放電燈,LED具有環(huán)保、節(jié)能、顯色指數(shù)高、體積小、壽命長、響應(yīng)速度快等突出優(yōu)點(diǎn),并被廣泛應(yīng)用于汽車、交通燈、電子產(chǎn)品背光源、顯
示屏、景觀照明燈等領(lǐng)域。
節(jié)能是LED最大的特點(diǎn),在我國具有非常重要的現(xiàn)實(shí)意義。中國照明用電約占總電量的12%, 保守估計(jì)2010年我國總發(fā)電量將達(dá)到30000億度,照明用電將達(dá)到約3600億度,如能節(jié)約一半的照明用電就是1800億度,相當(dāng)于兩個(gè)三峽電站的年發(fā)電量。隨著技術(shù)的發(fā)展,白光LED比白熾燈節(jié)能90%,比熒光燈節(jié)能60%。照明節(jié)能產(chǎn)生了兩方面益處:能源消耗的節(jié)約和二氧化碳?xì)怏w排放的減少。
LED照明技術(shù)正處于一個(gè)迅速發(fā)展的階段,發(fā)光效率不斷改善,根據(jù)Haitz定律,每兩年單個(gè)LED封裝器件輸出的光通量將翻一倍。未來LED將成為全球照明的主要光源。 利用LED作為光源制造出來的照明器具,在照明領(lǐng)域正吸引著世人的目光。LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品,必然是未來發(fā)展的趨勢,21世紀(jì)將進(jìn)入以LED為代表的新型照明光源時(shí)代。
LED的優(yōu)異性能使其快速地進(jìn)入了照明光源產(chǎn)業(yè),但由于芯片發(fā)熱而引起的光衰使LED照明應(yīng)用的發(fā)展遇到了瓶頸。盡管很多實(shí)驗(yàn)研究表明LED的壽命可達(dá)十萬小時(shí)以上,但是傳統(tǒng)封裝的LED光衰嚴(yán)重,因此,改變封裝材料及改善封裝結(jié)構(gòu)就成為了解決散熱問題的主要途徑。本文通過長時(shí)間的老化測試,對封裝結(jié)構(gòu)和工藝的優(yōu)化能否解決LED散熱問題進(jìn)行了研究。
二、實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)中的白光LED光源模塊采用了兩種不同封裝工藝。一種是采用傳統(tǒng)工藝將YAG熒光粉涂敷在藍(lán)色芯片表面,用環(huán)氧樹脂常規(guī)封裝的W-LED顆粒直徑為5mm,光出射角為60°,W-LED顆粒的剖面如圖1-b所示。分別選擇32顆和52顆光電特性一致的W-LED顆粒,以串聯(lián)的形式集成于具有電路布置的PCB板上形成LED集成光源模塊,如圖1-a所示。通過驅(qū)動電路,使W-LED集成光源模塊發(fā)光工作。正常工作時(shí),輸入電壓為220V,W-LED的工作電流為15mA,32顆和52顆集成光源實(shí)測功率分別為1W和2W,文中對其簡稱為1W模塊和2W模塊。對1W模塊和2W模塊分別進(jìn)行2000小時(shí)的老化,采用照度儀(TES 1330A)測試其不同階段的照度值,光源測試環(huán)境為37cm*25cm的暗箱。
圖1 傳統(tǒng)封裝的W-LED結(jié)構(gòu)示意圖:(a)多顆W-LED集成光源模塊示意圖(1.傳統(tǒng)W-LED顆粒 2.PCB板) (b)單顆W-LED結(jié)構(gòu)示意圖(1.芯片 2.熒光粉 3.環(huán)氧樹脂 4.金線5.支架)
另一種封裝形式是平面封裝結(jié)構(gòu),是在鋁基板上制造凹槽結(jié)構(gòu),將藍(lán)光芯片通過傳統(tǒng)固晶工藝,直接安裝在鋁基板的凹槽結(jié)構(gòu)中,將芯片電極與圖形化的鋁基板電極相連接,最后采用灌膠工藝將熒光粉膠灌覆于串聯(lián)芯片的表面。形成一光滑平面,實(shí)現(xiàn)混光型白光LED平面光源模塊如圖2-a所示,其單元結(jié)構(gòu)如圖2-b所示。采用該封裝工藝配合驅(qū)動電路,通過串并聯(lián)法制造出實(shí)測功率為對8W和17W的新型W-LED平面光源。正常工作時(shí)輸入電壓為220V,8W W-LED平面光源模塊的正常工作電流為120mA,17W W-LED的平面光源模塊的正常工作電流為240mA,單顆W-LED芯片上的工作電流為20mA。分別對8W和17W的W-LED平面光源進(jìn)行2000小時(shí)的老化測試,采用照度計(jì)(TES 1330A)測試其各時(shí)間段照度。測試環(huán)境為暗室,測試儀器與被測光源相距3m。
圖2 平面封裝W-LED單元結(jié)構(gòu)示意圖::(a). W-LED平面光源模塊結(jié)構(gòu)示意圖(1.熒光粉 2.鋁基板) (b)W-LED平面光源單元結(jié)構(gòu)示意圖(1.芯片 2.電極 3.熒光粉 4.絕緣層 4.鋁基板 6.金線)