一種新型楔形膜在真空中的制作方法及測試結果

2013-09-14 黃濤 中國科學技術大學國家同步輻射實驗室

  提出了一種新型楔形膜在真空中的制作方法,可以替代白光干涉位移傳感器中的關鍵元件。該方法采用兩層復制技術,用有機材料SU8 膠作為楔形膜中間的材料。同時,搭建了白光干涉位移傳感器系統,對制作的楔形膜進行了測量。實驗結果表明,該解調系統具有較好的穩定性及較高的測量精度。

  在白光干涉位移傳感器中,關鍵元件是楔形膜。目前現有的制作光楔的技術有兩種。

  第一種,采用鍍介質膜的方法制作楔形膜。該方法的工藝過程是:首先,在光學基板上鍍制高反膜,然后在高反膜上鍍楔形介質膜,最后在介質膜上鍍一層半透半反膜,從而形成斐索干涉儀中楔形膜。缺點是:

  ①鍍厚度在5 μm~40 μm 間線性變化的介質膜,其控制難度大,成功率低;

  ②厚度較厚的介質膜由鍍膜機的真空環境中取出時,在空氣中受到濕度和內應力的影響,容易產生褶皺而損壞;

  ③鍍制介質膜的設備昂貴,鍍40 μm 的介質膜需要20 h 以上,制作成本較高。

  第二種,利用兩個單面鍍制有半透半反膜的光學基板,基板一端用一定厚度的間隔裝置,另一端直接接觸,形成楔形空氣腔。此方法雖然簡單,但為了保證楔形空腔的厚度和位置的線性關系,兩個光學基板的鍍膜面必須有較好的面型,而基板厚度是保證面型的基礎,這就增加了空間尺寸。同時,兩個面要求加工出較高的面型,這大大增加了制作成本。

  本方法將采用一種模板復制技術,這樣,光學基片不需要有很高的面型要求,只需把模板的面型做到0.1 個波長,通過兩次壓印復制技術,使楔形膜上下兩個表面的面型與模板一致,保證了楔形膜的厚度變化為線性變化。同時相對于現有技術二,降低了光學基板的加工成本,減小了基板的厚度,即減小了楔形膜的空間尺寸。

  采用目前常用的有機材料SU8 膠作為楔形膜中間的材料,替換了現有技術中采用鍍介質膜的方法,不需要鍍介質膜的專用設備,大大降低了成本。

1、新型楔形膜的基本制作步驟

  新型楔形膜的基本制作步驟主要分為:壓印準備、壓印及紫外固化、脫模、堅膜、鍍反射膜、壓楔形、鍍半透半反膜等七個步驟。

  (1)壓印準備

  基片采用K9 玻璃,模板是石英玻璃(1/10 波長面型),分為基片清洗、模板與基片的表面改性、涂膠、前烘。

楔形膜的制作流程圖

圖1 楔形膜的制作流程圖

  (2)壓印及紫外固化

  目的是復制模板的面型。具體操作如下:將壓印模板壓在表面具有SU-8 膠的K9 玻璃基底上, 在真空烘箱中以100℃烘烤10 min 之后,SU-8 光刻膠受熱軟化。向壓印模板施加2 MPa的壓印壓力,使得壓印模板壓入SU-8 光刻膠。保持100℃壓印溫度及2 MPa 壓印壓力120 min,待壓印結束后自然冷卻。此時,壓印模板、SU-8 光刻膠以及K9 玻璃基底會結合在一起。通過透光的壓印模板對SU-8 光刻膠進行紫外曝光,對曝光后的SU-8 光刻膠進行后烘使得SU-8 光刻膠會發生交聯。后烘溫度為100℃,時間為40 min。

  (3)脫模

  自然冷卻后,脫模。這樣,模板的面型已經復制在基片上。

  (4)堅膜

  復制有模板面型的基片放在烘箱中烘烤10 min,溫度為150℃。

  (5)鍍反射膜

  在第一次壓印后的SU8 表面鍍反射膜,如圖1(B)所示。

  (6)壓楔形

  如步驟(1)所述,在基片上旋涂SU-8,經過前烘等若干步驟,然后在基片的一端墊一個所需楔形膜厚度的精密量片,壓制楔形,如圖1(C)所示。條件跟前面的一樣。

  (7)鍍半透半反膜

  在楔形膜的表面用離子束濺射鍍膜機鍍Cr,厚度根據優化的反射率來鍍制,如圖1(D)所示。上面的幾個步驟組成了整個楔形膜的制作過程。

小結

  利用制作的楔形膜搭建了白光干涉位移傳感器系統,同時對其進行了測試。測試結果表明,誤差在±30 μm,具有較高的測量精度。