射頻磁控濺射法制備a-Si:H 薄膜，利用橢圓偏振光譜對不同氣壓下a-Si:H 薄膜的厚度、折射率和消光系數進行了測試和研究。薄膜采用雙層光學模型，通過Forouhi-Bloomer 模型對橢圓偏振光譜參數進行擬合，獲得450-850 nm 光譜區域的a-Si:H 薄膜光學參數值。結果表明，隨著工作氣壓增加，薄膜厚度增厚，沉積速率升高;相同工作氣壓下，隨偏振光波長增大，折射率呈下降趨勢;相同波長偏振光下，折射率隨工作氣壓上升而下降，折射率變化范圍在3.5-4.1;消光系數隨著工作氣壓增大呈略微增大的趨勢。根據吸收系數與消光系數的關系，獲得了薄膜的吸收譜，測算出不同工作氣壓下a-Si:H 薄膜的光學帶隙為1.63 eV-1.77 eV。

　　氫化非晶硅(a-Si:H)薄膜是一種重要的光電功能材料。它具有光吸收率高、隙態密度低、電阻溫度系數大、可大面積低溫(<400 ℃)成膜、易摻雜、基片種類不限、與硅半導體工藝兼容等優點。

　　近幾年來a-Si:H 薄膜在太陽能電池、薄膜晶體管、液晶顯示和光電探測等領域有著越來越廣泛的應用。a-Si:H 薄膜在研究和應用過程中，折射率和消光系數等光學參數的分析和研究非常重要，對其精確測量更為重要。橢圓偏振光譜法(spectroscopic ellipsometry，SE)是表征半導體薄膜光學和結構特性的有效手段，是一種主動的、非破壞性的、無擾動的、非介入測量薄膜厚度和光學性能的方法，具有測量精度高、靈敏度高、方便快捷等特點。光是一種電磁波，電場強度、磁場強度及光的傳播方向共同構成右旋的正交三矢族，偏振態與光的強度、位相、頻率等參量一樣也是光的基本量之一。若已知入射光束的偏振態，再測得光束透過薄膜后的偏振態，前后對比就能確定該薄膜的光學參量，如薄膜厚度、消光系數、折射率等。

　　本文利用橢圓偏振光譜儀(430 nm~850 nm)，簡稱橢偏儀，測量了射頻磁控濺射法制備的不同氣壓下的a-Si:H 薄膜的厚度、折射率和消光系數，考慮到薄膜上表面的粗糙度，建立了雙層光學模型，采用非線性回歸計算方法，并與測量數據進行擬合，得到了較好的實驗結果。最后，根據吸收系數和消光系數的關系，獲得了薄膜的吸收譜圖，測算了a-Si:H 薄膜的光學帶隙。

1、實驗

　　本文利用沈陽慧宇公司生產的SY-500 射頻濺射系統制備了a-Si:H 薄膜。襯底分別為n 型Si片(面積l×l.5 cm2、電阻率2~8 Ω·cm、取向(100))和普通玻璃片，襯底在使用前經過嚴格清洗：在標準洗液(硫酸的高錳酸鉀飽和溶液)中浸泡24 h;然后，依次用甲苯、丙酮和乙醇分別超聲清洗15 min，其間用去離子水反復沖洗;最后，將清洗干凈的襯底放在分析純的乙醇中避光保存，待用。選用純度為99.999%的Si 靶，工作氣體為Ar和H2 的混合氣體，H2 所占比例為20%，射頻濺射功率為340 W，本底真空抽至小于8.0×10-5 Pa，襯底溫度為280 ℃，鍍膜時間為90 min。實驗中，改變工作氣壓為0.1、0.3、0.4 Pa，研究工作氣壓對a-Si:H 薄膜光學參數的影響。

　　利用法國HORIBA 公司生產的MM-16 橢圓偏振光譜儀采用反射法測量了薄膜的厚度、折射率和消光系數，測量時光的入射角是70°，光子能量為1.5 eV～2.9 eV(掃描波長范圍：430 nm~850 nm)，掃描能量間隔是0.02 eV，根據測量結果獲得薄膜的吸收光譜，并利用Tauc 公式測算了a-Si:H 薄膜的光學帶隙。

3、結論

　　本文采用射頻磁控濺射法制備了a-Si:H 薄膜，通過橢圓偏振光譜對不同氣壓下薄膜的厚度、折射率和消光系數進行了測試和研究。薄膜采用雙層光學模型，利用Forouhi-Bloomer 模型進行擬合，擬合過程中采用Levenberg-Marquadt 算法的非線性回歸計算方法，實驗值與理論計算值擬合效果較好。研究發現，隨著工作氣壓增加，薄膜厚度增加，沉積速率升高。隨工作氣壓增加，薄膜的折射率降低，變化范圍為3.5~4.1;相同工作氣壓時，折射率隨入射光波長增加先略微增加而后下降。消光系數k 隨入射光波長增加呈下降趨勢;隨工作氣壓的增大消光系數大體呈現增加的趨勢。另外，根據吸收系數與消光系數的關系，獲得了薄膜的吸收譜，測算出不同工作氣壓下a-Si:H 薄膜的光學帶隙為1.63 eV~1.77 eV。本文的模型建立和測量分析在光電薄膜的研究中有參考價值，表明橢圓偏振光譜學在薄膜光學性質研究方面具有重要應用前景。