蒸發源是真空鍍膜裝置中一個非常重要的部件。在多個蒸發源共存的裝置中，如何在設計中正確選擇蒸發源與蒸發源、蒸發源與基片之間的距離就顯得尤為重要，它直接關系到基板涂層均勻性。本篇文章根據蒸發源與基片之間的物理聯系入手，分析基片- - 蒸發源距離對基片涂層均勻性的影響，進而對蒸發源與蒸發源、蒸發源與基片之間距離的確定，提出了自己的一些觀點和看法。

　　在各種真空鍍膜裝置中，大家都期望在基片上獲得均勻的涂層。然而，由于受到蒸發源形式（電阻加熱、感應加熱、電子束加熱、e 型電子槍、電弧蒸發源和磁控濺射等）、形狀（絲狀、籃狀、坩堝、箔狀、舟狀、小平面狀等）、加熱材料（石墨、導電氮化硼、鎢、鉬等）、加熱器功率大小、涂層厚度及均勻性要求以及蒸發速率等多種因素的影響，在蒸發源設計中，如何對蒸發源與蒸發源、蒸發源與基板之間的距離以及基片幅寬與蒸發源數量進行正確的選擇，直接影響著基片涂層的均勻性和質量。因此，用便捷的方法確定蒸發源和蒸發源、蒸發源和基片之間的距離以及不同基片幅寬下的蒸發源數量，是各種卷繞真空鍍膜裝置在工程設計中需要解決的實際問題。

　　多年來，通過對真空鍍膜裝置中蒸發源與發源、蒸發源與基片之間的距離對基板涂層均性的影響的問題進行了一些探索，對它們之間的一些內在聯系進行了一些研究和總結，在這里給出了一些經驗公式和計算式，供大家參考。

5、結束語

　　在卷繞鍍膜裝置的設計中，對于多大幅寬的基片，應該配置多少蒸發源？蒸發源與蒸發源、蒸發源與基片之間的距離如何確定？目前尚無文獻明確論述和界定。本人根據多年從事真空技術工作的經驗和對國內外連續鍍膜裝置的研究，對蒸發源數量n 的確定以及蒸發源與基板之間距離h的選擇給出了便捷的經驗公式和計算式，經驗證實用可靠，供大家參考，期望能給大家的工作帶來方便。不妥之處請給與批評指正。

參考文獻

　　[1] 達道安. 真空設計手冊[M]. 北京：國防工業出版社，2004.
　　[2] 王福貞, 等. 表面沉積技術[M]. 北京：機械工業出版社，1989.