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靶電流對電弧離子鍍TiAlN膜層組織及成分的影響
在不同基材上沉積的膜層表面形貌存在差異;兩種工藝在不同的基材上沉積的膜層中N、Al和Ti元素呈梯度分布,可明顯的觀察到界面處存在這三種元素的互擴散,使膜層與基體間形成冶金結合。
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電弧離子鍍TiAlN涂層的熱疲勞及抗氧化性能
采用獨立的高純鈦、鋁靶,在TC4鈦合金基材表面以電弧離子鍍工藝沉積制備了TiAIN涂層.結果表明,TRAIN涂層表現出很好的熱疲勞抗力,顯著改善了鈦合金的高溫抗氧化性。
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TiC薄膜的性能研究
采用磁過濾直流電弧離子鍍法在不同的CH4分壓下制備了一系列的TiC薄膜,利用XRD和EDX表征了薄膜的相組成和微結構,用MCMS-1摩擦磨損測試儀,研究了不同CH4分壓對薄膜摩擦性能的影響,采用DURAMIN-10型丹麥全自動顯微硬度
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生長參數對Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影響
通過能量色散譜儀喬(EDS)和掃描電子顯微鏡(SEM)對合金薄膜的元素深度分布和表面形貌進行了表征,分析研究了外延層的生長溫度、生長時間對Si1-xGex:C合金薄膜性質的影響.
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脈沖輝光PECVD制備DLC薄膜的結構和性能研究
類金剛石碳膜以其優異的性能,諸如高電阻率、高硬度、低摩擦系數、良好的光學特性等顯示出良好的應用前景,越來越受到人們的關注.本文利用脈沖輝光PECVD在不同的脈沖電壓下成功地制備了DIE薄膜.
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離子束流和基底溫度對ZrN/TiAlN納米多層膜性能的影響
大部分多層膜的納米硬度與彈性模量值都高于兩種個體材料硬度的平均值,當輔助束流為5 mA時,多層膜硬度達到30.6 GPa.基底溫度的升高,會顯著降低薄膜的殘余應力,但對薄膜的硬度,摩擦系數沒有明顯影響.
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調制周期對TiB2/TiAlN納米多層膜機械性能的影響
利用射頻磁控濺射技術,在室溫下合成了具有納米調制周期的TiB2/TiAlN多層膜.分別采用表面輪廓儀、納米力學測試系統、多功能材料表面性能實驗儀和XRD,分析了調制周期對TiB2/TiAlN納米多層膜機械性能的影響.
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ZnO:Mn稀磁薄膜光學性質和鐵磁行為分析
采用脈沖激光沉積技術在藍寶石(α-Al2O3)襯底上制備了不同Mn摻雜濃度的ZnO薄膜.實驗結果表明,合適濃度的Mn的摻人,有利于ZnO:Mn薄膜(002)生長而不形成Mn的氧化物。
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GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延生長
本工作采用化學氣相淀積方法,以GcH4為反應氣源,以InN/CaN/Al2O3(0001)復合襯底作陪片,在CaN/Al2O3(0001)復合襯底上外延生長了Ge薄膜,并對生長機理進行了探討。
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等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術基礎
等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。
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Pt插層對NiFe/FeMn薄膜交換耦合的影響
采用磁控濺射方法制備了以Pt為緩沖層和保護層的NiFe/FeMn薄膜.在NiFe/FeMn界面插入Pt,發現交換偏置場(Hex)隨著插層Pt厚度(tPt)的增加而減小。
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