磁控濺射靶電源研發、設制與使用小結——前言
摘要
本文闡述了真空磁控濺射鍍膜的基本原理與工況;闡述了真空磁控濺射陰極常用靶電源的不同種類、主要特點、技術性能、負載特性及應用范圍;同時對各靶電源的選型、安裝接線及使用注意事項作了詳細說明。
關鍵詞
輝光放電,等離子體,陰極濺射,磁控濺射,磁控濺射靶,磁控濺射靶電源
前言
真空磁控濺射鍍膜用陰極電源,又稱為磁控濺射靶電源。其主要作用是為不同的磁控濺射工藝和磁控靶提供符合濺射沉積放電要求的電壓、電流和波形。
可以通過靶電源改變磁控靶的濺射電壓提高工作氣體的離化率和改變轟擊陰極靶材的離子能量;可以通過靶電源改變磁控靶工作電流密度,改變靶材的濺射率和膜層的沉積率;通過改變靶電源輸出的電壓電流及波形(例如直流;不同頻率的交流或脈沖直流的矩形或類矩形脈沖波、正弦或類正弦波及類鋸齒波等),改善濺射沉積工藝質量控制過程;在反應磁控濺射中,通過改變靶電源的輸出波形與脈沖電壓極性,可以中和靶面未濺射高阻絕緣層面的正電荷積累,減少打弧次數,防止“靶中毒”和“陽極消失”,使反應濺射過程得以穩定進行;靶電源通過對打弧電流精確有效的管理,可以抑制弧電流帶來的危害,提高濺射沉積薄膜質量,并確保靶電源的運行安全。
靶電源是磁控濺射鍍膜的關鍵設備之一,它的控制特性和質量優劣直接影響著待鍍膜工件膜層的質量好壞。
本文將從如下幾個方面分別予以介紹: 磁控濺射鍍膜和磁控靶的真空氣體放電的基本原理與特性;各靶電源的控制特性和靶電源的電壓、電流與波形等主要技術參數;靶電源負載的阻抗特性;靶電源的選擇和使用;靶電源的安裝接線和使用注意事項等。
工作實踐表明:只有正確認識和深入了解真空磁控濺射鍍膜的基本原理與工況、各類靶電源主要技術性能和特點,搞清各種靶電源在真空磁控濺射鍍膜工藝過程中的特定位置和作用以及磁控靶氣體放電的基本特性,設計研發人員才能設計出控制性能良好、可靠性高的磁控濺射鍍膜靶電源;而鍍膜工藝技術人員和真空鍍膜設備的操作使用者才能根據各類靶電源的不同特點,正確合理地選擇靶電源,并根據不同的鍍膜工藝、不同規格型號的磁控靶和不同設備的真空條件與參數,靈活地改變和設置靶電源輸出的電壓、電流與波形等技術參數,確保磁控濺射鍍膜工藝過程正常、穩定地進行;才能在磁控濺射鍍膜工藝和科研項目中,得到最佳結果。
真空磁控濺射鍍膜是一個多真空環境條件、多控制變量(如電場、磁場、氣氛與壓力、靶材、基片偏壓、溫度及轉速、真空腔體幾何結構等參數)相互影響和制約的復雜的工藝控制過程,工藝過程中不能完全確定和控制的因素很多;在不同的磁控濺射裝置上,或在沉積不同的材料膜層時,還需要對影響和制約磁控濺射鍍膜的各個環境參數與工藝參數進行試驗和探索。
由于可用于磁控濺射的鍍膜靶材和反應磁控濺射沉積的化合物膜層的“廣泛存在”,在磁控濺射鍍膜的工程項目中,可能會不斷面對需要濺射新的靶材、濺射沉積新的膜層這一問題。因此,鍍膜工藝工程師、靶電源設計研發工程師、售后與維修等人員除了需要關注和了解各種靶電源本身的特點、各項額定技術參數以及所鍍膜層的具體工藝參數外,對于由磁控濺射各種真空環境條件和參數(例如壓力、磁場、阻抗、波形、頻率與打弧放電等)變化所引起的靶電源相應輸出電壓與波形、電流與真空腔體內阻抗以及“打弧”等參數的變化,以及其對膜層的質量和其它技術指標的影響程度、變化趨勢、各控制變量之間的相互制約關系,也需要進行掌控;縮短磁控濺射鍍膜工藝研發與最佳鍍膜工藝參數的試驗和探索過程,節省很多寶貴的時間和費用。
本文中的各項技術參數,除了國家【標準】及有關【技術規范】描述的條文以外,均不應視作絕對的數值與概念,而應看作是在一定真空環境條件下具有一定變化范圍的動態的相對參考值。
關于磁控濺射鍍膜的基本原理,例如“磁控濺射的本質”、“不同頻率、不同波形、不同幅值與占空比偏壓的作用”、“各靶電源的不同特點”以及“不同靶電源在磁控濺射鍍膜過程中的作用與應用范圍”等問題,是“仁者見仁,智者見智”,各專家學者的看法和意見也不盡相同,本文撰寫中采用了“主流的意見與觀點”。
筆者從鍍膜工藝和工程實用的角度出發進行分析與描述,文中的很多內容限于篇幅只能“點到為止”。如讀者想作進一步深入了解,可參閱其它的技術文獻。
本文的閱讀對象:靶電源的研發設計人員,真空鍍膜工藝工程師,真空鍍膜設備的操作、營銷、售后維修人員以及青年學生等。許多同事和朋友希望在業內有人撰寫技術文章,較為系統、全面地介紹真空磁控濺射鍍膜靶電源及其應用。本人有幸從事磁控濺射靶電源的設計、研發技術主管多年,工作中頗有心得體會,現僅將與磁控濺射靶電源電氣特性有關的內容略加小結,整理成文,供業內的同事和朋友們分享與討論。水平所限,文中難免存在錯誤和以偏概全之處,懇請讀者和業內有識之士指正。在此,謹對曾經支持過我工作的同事和業內外的許多專家與朋友,一并致謝。
未完待續,下接該文的“磁控濺射基本原理與工況” 部分。
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